BDU:2021-05483

Высокий уровень опасности (базовая оценка CVSS 2.0 составляет 7,6) Критический уровень опасности (базовая оценка CVSS 3.0 составляет 9) CVSS 9 · AV:N/AC:H/PR:N/UI:N/S:C/C:H/I:H/A:H

Уязвимость внутренней системы защиты целевой строки (TRR) устройства DRAM (PC-DDR4, LPDDR4X), позволяющая нарушителю повысить свои привилегии

Соответствие зарубежным идентификаторам

CVE-2021-42114

Отчёты сканеров говорят на языке CVE, требования регуляторов — на языке БДУ. Перевести список из отчёта →

Описание

Уязвимость внутренней системы защиты целевой строки (TRR) устройства DRAM (PC-DDR4, LPDDR4X) связана с возможностью искажения содержимого отдельных битов памяти путём цикличного чтения данных из ячеек памяти. Эксплуатация уязвимости может позволить нарушителю, действующему удаленно, повысить свои привилегии

Способ устранения

Использование чипов, содержащих функционал кодов коррекции ошибок (ECC) и удвоения частоты обновления памяти, что усложняет эксплуатацию уязвимости

Сведения записи

Дата публикации: 17.11.2021

Класс уязвимости: Уязвимость архитектуры

Статус: Подтверждена производителем

Устранение: Информация об устранении отсутствует

Эксплойт: Существует в открытом доступе

Уязвимое программное обеспечение

Производитель	Название	Версия	Платформа
Micron Technology	Micron DRAM	-	Не указана
SK Hynix	Hynix DRAM	-	Не указана
Samsung Electronics	Samsung DRAM	-	Не указана

Чтобы такие записи находились не вручную, ведите реестр программного обеспечения: в личном кабинете уязвимости сопоставляются с вашим ПО, а работы по устранению попадают в план. Завести кабинет →

Источник: Банк данных угроз безопасности информации ФСТЭК России. Данные выгружены 17.08.2026, записей в справочнике — 92920. Справочник не является официальным ресурсом ФСТЭК России: сверяйте сведения с первоисточником.